檢索結果:共2筆資料 檢索策略: " Resistivity".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氧空缺"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
金屬氧化物電阻式隨機存取記憶體(RRAM)是下一代非揮發性記憶體中最有潛力得候選人之一,其研究和發展引起相當大的關注,由於具有低成本、低耗能、操作速度快、保存資料能力佳等優點外,結構簡單也是一大特色…
2
電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用,由於其結構簡單可應用於高密度積體電路,也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS),並且具有低操作功率、開…